世界全球最小SRAM單元

2002年06月，英特爾的研究人員已經開發出全球最小的SRAM(靜態隨機存儲器)單元，尺寸只有1平方微米。這種52MB的單元可充當SRAM設備的構成模塊。

英特爾將採用下一代90納米工藝來製造這種SRAM單元。該公司表示，這一成就是通向預計在2003年採用的新生產工藝的里程碑。英特爾技術和製造集團的高級副總裁和總經理SunlinChou表示，SRAM芯片通常都被當成發展下一代邏輯生產工藝的測試載體。

Chou指出，小尺寸的存儲單元非常重要，因為它可以使英特爾在微處理器上採用更大容量的緩存和增加整體邏輯密度，減少提升微處理器性能所需的成本。此外，上述SRAM芯片還成功地全面展示了90納米工藝。Chou說：「英特爾的1平方微米SRAM單元為硅技術建立了一個新的密度基準。這一成就使我們在用於微處理器和其他產品的90納米工藝上搶佔了先機。」

英特爾表示，通過採用90納米工藝，它可以繼續保持每兩年採用新一代製造工藝的技術更新速度。該公司將採用90納米工藝生產其大部分產品，包括微處理器，芯片組，以及通信產品。英特爾計劃僅在300MM硅晶圓上採用90納米工藝，結合使用先進的193納米和248納米光刻工具。